意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面向高、低压MOSFET的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。 产品的主要特性包括： 击穿电压范围：-500 ~ 1500 V 30多种封装选项，包括1-mm高表面贴装PowerFLAT? 8x8 HV 为650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *区域值（0.029 ?、TO-247封装） 改善了栅极电荷，降低了功耗，满足了当今’极具挑战性的效率要求 面向所选产品线的本征快速体二极管 在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。 意法半导体的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列产品具有极低的栅电荷（Qg）和出色的输出电容Coss曲线，是谐振型电源（LLC转换器）的理想之选，同时还支持PFC、TTF或反激式硬开关拓扑。与上一代产品（MDmesh II）相比，它大幅降低了栅电荷和开关损耗。高dv/dt稳定性（50 V/ns）让器件即使出现了大电压瞬态（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。 STF13N60M2 N-channel 600 V, 0.318 Ohm typ., 12 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in TO-220FP package 活性 These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. 下载 数据表 Key Features Extremely low gate charge Lower RDS(on)x area vs previous generation Low gate input resistance 100% avalanche tested Zener-protected
